CIRCUTOR CVM-NRG96 Series (Available until stocks) - Manuel (Page 32)

CVM-NRG96
32 M98172501-02-05A
6.1.- Carte de mémoire MODBUS©
VARIABLES MODBUS
Magnitude Symbole Instantané Maximum Minimum Unités
Tension Phase V L1 00-01 60-61 C0-C1 V x10
Courant A L1 02-03 62-63 C2-C3 mA
Puissance active kW L1 04-05 64-65 C4-C5 w
Puissance réactive kvar L1 06-07 66-67 C6-C7 w
Facteur de puissance PF L1 08-09 68-69 C8-C9 x 100
Tension Phase V L2 0A-0B 6A-6B CA-CB V x10
Courant A L2 0C-0D 6C-6D CC-CD mA
Puissance active kW L2 0E-0F 6E-6F CE-CF w
Puissance réactive kvar L2 10-11 70-71 D0-D1 w
Facteur de puissance PF L2 12-13 72-73 D2-D3 x 100
Tension Phase V L3 14-15 74-75 D4-D5 V x10
Courant A L3 16-17 76-77 D6-D7 mA
Puissance active kW L3 18-19 78-79 D8-D9 W
Puissance réactive kvar L3 1A-1B 7A-7B DA-DB W
Facteur de puissance PF L3 1C-1D 7C-7D DC-DD x 100
Puissance active III kW III 1E-1F 7E-7F DE-DF w
Puissance Inductive III kvarL III 20-21 80-81 E0-E1 w
Puissance Capacitive III kvarC III 22-23 82-83 E2-E3 w
Cos φ III Cos φ III 24-25 84-85 E4-E5 x 100
Facteur de puissance III PF III 26-27 86-87 E6-E7 x 100
Fréquence Hz 28-29 88-89 E8-E9 Hz x 10
Tension Ligne L1-L2 V12 2A-2B 8A-8B EA-EB V x10
Tension Ligne L2-L3 V23 2C-2D 8C-8D EC-ED V x10
Tension Ligne L3-L1 V31 2E-2F 8E-8F EE-EF V x10
% THD V L1 %THD VL1 30-31 90-91 F0-F1 % x 10
% THD V L2 %THD VL2 32-33 92-93 F2-F3 % x 10
% THD V L3 %THD VL3 34-35 94-95 F4-F5 % x 10
% THD A L1 %THD AL1 36-37 96-97 F6-F7 % x 10
% THD A L2 %THD AL2 38-39 98-98 F8-F9 % x 10
% THD A L3 %THD AL3 3A-3B 9A-9B FA-FB % x 10
Puissance apparente III KvaIII 42-43 A2-A3 102-103 w
Demande maximale Md (Pd) 44-45 A4-A5 104-105 w/VA/mA
Courant triphasé ( moyen ) A_AVG 46-47 A6-A7 106-107 mA
Courant de neutre In 48-49 A8-A9 108-109 mA
Demande maximale A2 Md (Pd) 52-53 B2-B3 112-113 mA
Demande maximale A3 Md (Pd) 54-55 B4-B5 114-115 mA